Номер детали производителя : | W66BM6NBUAGJ TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W66BM6NBUAGJ TR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W66BM6NBUAGJ TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W66BM6NBUAGJ TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
Поставщик Упаковка устройства | 200-WFBGA (10x14.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 200-WFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 2Gbit |
Организация памяти | 128M x 16 |
Интерфейс памяти | LVSTL_11 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 1.866 GHz |
Базовый номер продукта | W66BM6 |
Время доступа | 3.5 ns |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA